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 Vivir el modding / Iniciarse en el modding 18 de septiembre de 2019 09:42   Modding  ·  Artículos  ·  Guías  ·  Guías de los usuarios  ·  Reviews  ·  Enviar Noticia ·  Top 10 ·  Temas

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NOTA: explicación de Tiempos de Latencia
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Nate
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MensajePublicado: Dom, 17 Abr 2005 9:59 pm    Asunto: Responder citando

Hola:

Ok, gracias. Pero aún así cuando tenga la placa base nueva voy a provar. Y ya os avisaré si vale.

Un saludo y gracias.
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rutger
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MensajePublicado: Dom, 17 Abr 2005 10:11 pm    Asunto: Responder citando

Flecha Hola.

Nate. Haz la prueba para ver si te los coje. El tema del dual Channel dependerá de lo caprichoso q sea el controlador de memoria del chipset de tu placa (incluso de la placa base.. q las hay con igual chipset q se comportan de diferente modo).

En cuanto a latencias, si ves q en AUTO te da problemas, configura los timmings en manual (con los del más lento). El mayor problema q le veo es q la capacidad de los módulos es diferente (512Mb y 256Mb).. puedes probar, a ver si hay suerte.


Wake. El tema del Quad Pumped y DDR es simplemente q el FSB en intel es capaz de aceptar mayor cantidad de datos, es decir por cada ciclo podría aceptar los q llegan desde el controlador de memoria y a además más datos provinientes desde otros puntos (otra info q le ofrezca el puente norte).

Es decir no se trata de q se sincronizen (lo q se tienen q sincronizar son las frecuencias de reloj.. q en ambos es de 200 solo q o x2 o x4.. pero no los "multiplicadores" de los buses)

..Un Saludo..
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batusai240
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MensajePublicado: Sab, 28 May 2005 5:38 pm    Asunto: Excelente Publicacion Responder citando

Hola soy nuevo en el foro, y esta bravasa tu explicacion. Pucha vas desde cero a un punto bien avanzado, pero teno una duda.

133*10^6 = 7,5 nanoSegs (10^-9)


ACTIVE: 6
RAS: 3
CAS: 2,5
PRECHARGE: 3

ya pero esta ecuacion que creo qie es una ecuacion de donde sale???.
Ejemplo si yo quisiera ver cual es le mejor tiempo es ismplemente reemplazando los valores de la ecuacion pero como hacerlo????. o mejor dicho si me podria explicar de donde sale esta ecuacion
DDR400(200x2):
(6*5) + (3*5) + n(2,5*5) + (3*5) = 30 + 15 + 12,5n + 15 = 60 + 12,5n nanoSegs

gracias, y esta bravaza esta pagina.
DDR400(200x2):
(6*5) + (3*5) + n(2,5*5) + (3*5) = 30 + 15 + 12,5n + 15 = 60 + 12,5n nanoSegs

Dios los bendiga
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rutger
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MensajePublicado: Lun, 30 May 2005 4:57 pm    Asunto: Responder citando

Flecha Hola. Intentaré explicarme mejor.

En la ecuación q pegas estaba calculando el tiempo de latencia total (a modo de ejemplo) para q se vea como con la misma duración en cíclos, al aumentar la velcoidad del bus de memoria, los tiempos de latencia en realidad bajan (no son los mismos tiempos en segundos aunq los cíclos si lo sean).

Asi que calculo las latencias totales para módulos de memoria en relación a su frecuencia. Pero los estoy calculando, no en cíclos, sino en segundos (en realidad en nanoSegundos), ya q los tiempos de latencia son como su nombre dicen tiempos, y el tiempo se mide en segundos (aunq normalmente lo expresen en cíclos).

Por tanto, primero calculo el tiempo q dura un cíclo, en relación a la velocidad del bus de memoria.

Para DDR266, serán 133 cíclos por segundo.

1/133*10^6 = 7,5 nanoSegundos (te has dejado el 1/ ... esto expresa q es el inverso).

Es decir, 1 segundo entre 133 millones de cíclos = 7,5 nanoSegundos por cíclo.

Luego las latencias serían en tiempo (para una DDR400 q es la q has puesto tu... y ten en cuenta q la duración en cíclos para DDR400 = 1/200*10^6 = 5 nanoSegs)

ACTIVE: 6 // Valores de ejemplo, inventados
RAS: 3
CAS: 2,5
PRECHARGE: 3

ACTIVE (6cíclos * 5nanoSegs por cíclo) + RAS (3cíclos * 5nanoSegs por cíclo) + nCAS (n veces cambia de columna * 2,5 cíclos * 5nanoSegs por cíclo) + PRECHARGE (3 * 5nanoSegs por cílclo)

Así puedes saber los tiempos en segundos que duran las latencias de cada señal, y si reduces la velocidad del bus de memoria (para sincronizarlo con el FSB por ejemplo). Puedes hacer la conversión, para ver q cantidad de cíclos producirían las mismas duraciones en segundos para cada señal, y dejar los mismo tiempos de latencia en segundos y no perder rendimiento.

Es decir, que si disminuyes la velocidad del bus de memoria y dejas los mismos cíclos para cada señal, al aumentar la duración de cada cíclo (en DDR400 duraban 5nanoSegs, en cambio en DDR333 son 6), estarás aumentando también la duración total (en segundos) de las señales.. es decir estás aumentando las latencias y perdiendo rendimiento (no solo por disminuir el ancho de banda del bus de memoria, sino también por aumentar los tiempos de latencia dentro del módulo RAM).

..Un Saludo..

P.D: si sigues sin entender alguna cosa, ya sabes Guiño
2800+@3700+ (185x13) // Abit NF7-S v2.0// 2x512MB DDR400@370 2-3-3-8@11
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AswarP
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MensajePublicado: Mie, 24 Ago 2005 10:23 am    Asunto: Responder citando

Buen tocho Sonriente
Un saludo desde los madriles
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nahiko
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MensajePublicado: Jue, 09 Feb 2006 2:27 pm    Asunto: Re: NOTA: explicación de Tiempos de Latencia Responder citando

Hola rutger, enhorabuena por la guía, muy currada, pero tengo una pequeña duda en tu guía, fíjate en lo que indico en negrita, números 7.5 y 7.4

rutger escribió:

[...]
Hay q tener en cuenta q una memoria DDR333 tiene 166 millones de ciclos por segundo (166*2=333), en cambio una DDR400 200 millones por segundo.

1/133*10^6 = 7,5 nanoSegs (10^-9)
1/166*10^6 = 6 nanoSegs
1/200*10^6 = 5 nanoSegs

[...]

DDR266(133x2):
ACTIVE____RAS_____nCAS___PRECHARGE
(6*7,4) + (3*7,4) + n(2,5*7,4) + (3+7,4) = 44,4 + 22,2 + 18,5n + 22,2 = 88,8 + 18,5n nanoSegs

DDR333(166x2):
(6*6) + (3*6) + n(2,5*6) + (3*6) = 36 + 18 + 15n + 18 = 72 + 15n nanoSegs

DDR400(200x2):
(6*5) + (3*5) + n(2,5*5) + (3*5) = 30 + 15 + 12,5n + 15 = 60 + 12,5n nanoSegs

[...]

Tengamos dos módulos de memoria:

DDR266(133x2) (ACTIVE6, RAS3, CAS2, PRECHARGE3)
(6*7,4) + (3*7,4) + n(2*7,4) + (3+7,4) = 44,4 + 22,2 + 14,8n + 22,2 = 88,8 + 14,8n nanoSegs

DDR400(200x2) (ACTIVE6, RAS3, CAS3 PRECHARGE3)
(6*5) + (3*5) + n(3*5) + (3*5) = 30 + 15 + 15n + 15 = 60 + 15n nanoSegs

COMPARACIÓN:
DDR266: 88,8 + 14,8n nanoSegs
DDR400: 60 + 15n nanoSegs

88,8 + 14,8n < 60 + 15n
88,8-60 < [15-14,8]n
28,8 < 0,2n
n > 28,8 / 0,2
n > 144

Si el "burst" es mayor a 144 columnas la latencia en un módulo DDR266 CAS2 será menor q la latencia en un módulo DDR400 CAS 3.. Por tanto no solo importa la frecuencia a la q trabaje un módulo de memoria (rapidez con que se transmiten los datos por el bus y número de ciclos por segundo a los q opera), si no también los tiempos de latencia del módulo..


Por qué en unos sitios indicas como 7.5 que yo creo que es lo que debería tardar y en otros indicas como 7.4?

Venga gracias y un saludo!!
Mi mujer tiene el mejor físico del mundo - Albert Einstein -
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rutger
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MensajePublicado: Jue, 09 Feb 2006 6:09 pm    Asunto: Responder citando

Flecha Hola.

Tienes toda la razón, es una errata (no se en qué estaba pensando).. ya están las correcciónes hechas.. gracias por el aviso, mira q lo habré repasado y no me había dado cuenta de ese error.

..Un Saludo..
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mistico_medieval
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MensajePublicado: Sab, 18 Feb 2006 1:59 am    Asunto: Responder citando

Hola a todos! Estoy en la duda si comprarme dos modulos de 1Giga pc3200 con latencias altas o 2 modulos de 512k con latencias bajas. Yo necesito hacer muchas cosas al mismo tiempo y que todo responda con velocidad. A ver si me pueden orientar un poco porque estuve leyendo un monton pero no logro decidirme sino confundirme cada vez mas. Saludos!!!
Asus p4s800d - Dual Channel, Sata, 8x.
Twinmos 256M - Chip winbond BH-5 - PC3200
P4 2.6 HT FSB800 Cache 512k
Fuente Vitsuba 450w SAN-45-CE
Seagate 80G 7200 8Mb Ata100
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Chinoka
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MensajePublicado: Lun, 31 Jul 2006 4:48 pm    Asunto: Responder citando

Señora Explicacion, felicitaciones maestro??? se siente la Fuerza en ti.
nuevamente felicitaciones
C2D E6600 2,4Gh 4mb 1066 - P5N-E SLI - 2x1Gb Samsung 800mhz - XFX 8600GT XXX 256MB DDRIII 620Mhz- Seagate 120Gb SATA II 16mb- WD 200 Gb SATA II 16mb- DVD-RW LG - CD-RW LG - PSU "Gen" 550W reales - MON Philips 19' CRT 1280X1024 - TV Sanyo 21' 800X600 e
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jotiocomomola
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MensajePublicado: Dom, 10 Dic 2006 9:54 pm    Asunto: Responder citando

Además de los tiempos típicos algunas en algunas placas es posible modificar otras latencias. En este extracto de sacado de oberclockers club aparecen las definiciones de latencia y sobretodo si afectan a la ESTABILIDAD y/o al ANCHO DE BANDA. Está en inglés pero se entiende muy bién:

Memory Timings

The Big 5

Most motherboard had manual adjustments for “The Big 5” memory timings. These are

CAS Latency (tCL)
RAS-to-CAS Delay (tRCD)
RAS Precharge (Trp) (AKA: Row Precharge)
Act-to-Precharge Delay (tRAS) (AKA: Min Ras# Active Time)
Command-Per-Clock (CPC) (AKA: Command Rate)


What do the “big 5” settings do and what are their effects on Speed/Bandwidth?

tCL: CAS controls the amount of time between receiving a command and acting on that command.
Typical Settings: 2,2.5,3
Effects: Large Effect on Bandwidth and Stability
NOTE: BH5/BH6 typically will NOT run at anything higher than 2

tRCD: tRCD is the cycle time between the first stage in memory access, the row strobe, and the second stage.
Typical Settings: 2,3,4,5
Effects: Medium Effect on Bandwidth and Large effect on Stability

tRP: tRP is the amount of time it takes for memory to terminate the access in one row and begin another.
Typical Settings: 2,3,4,5
Effects: Medium Effect on Bandwidth, Large effect on Stability
tRAS: tRAS is the time between receiving a request for data electronically on the pins of a memory module and then initiating RAS to start the actual retrieval of data.
Typical Settings: 5,6,7,8,9,10
Effects: Minimal Effect on Bandwidth, Medium effect on Stability

CPC: This is the delay between when a IC is selected and the time commands can be issued to the IC. The more chips on a module (Single vs. double sided) the more difficult it is for the memory controller to do this in 1 command clock. Most quality modules with an A64 Processor can do 1T rates on 256 and 512mb modules. 2T can increase your overclock but at a substantial loss in bandwidth.
Typical Settings: 1T,2T
Effects: Large effect on Bandwidth, Medium effect on Overclocking

Extended memory settings

These settings are found on DFI Nforce3/4 boards and many of them can be found in bios’ from other manufacturers as well. Exact definitions are rather hard to find, but I’ve found lots of references to these timings as well as done extensive testing with A64 Tweaker to be able to report these findings.

Row Cycle Time (tRC)
Typical Settings: 7-14
Effects: Large Influence on Bandwidth/Stability.


Row Refresh cycle time (tRFC)
Typical Settings:11-17
This timing is usually always set to 2-4 clocks higher that the tRC.
Effects: Large Influence on Bandwidth/Stability.


Row to Row Delay(also called Ras to Ras delay)(tRRD)
Typical Setting:0-4
Effects: Slight Influence on Bandwidth/Stability.


Write Recovery Time (tWR)
Typical Settings: 2, 3
Effect: Minimal Influence on Bandwidth/Stability.


Write to read Delay (tWTR)
Typical Setting: 1, 2.
Effect: Minimal Influence on Bandwidth/ Stability.


Read to Write delay (tRTW)
Typical Settings1-4
Effects: Minimal Influence on Bandwidth/Stability.

Write CAS# Latency (tWCL)
Typical Setting:AUTO/1
Note from RGone of DFI: Note from RGone of DFI-Street.com Posts with AUTO,1 or 5 in setting works on my board with “any” brand or size and speed of memory!
Effect: Large Influence on Stability.


DQS skew Control
Settings: Auto, Increase Skew, Decrease Skew.
Effects: Increase for performance, and Decrease for Stability,
Minimal Influence on Bandwidth/Stability.


DQS Skew Value*= 0-255 in 1.0 increments. This is the value that is Increased or Decrease when you set the DQS skew control. I typically run 125 Increase on my BH-5


DRAM Drive Strength
Typical Settings: Level 1-4
Effects: Level 1 should be run with CPC Enables, I had instability with anything else Some People others have had success w/ using level 2-4 if CPC is disabled(2T).
Large Influence on Stability.


Max Async. Latency
Typical Setting: 5.0-10.0 (7.0 netted the best results on my BH-5)
Effects: Minimal Influence on Bandwidth/Stability.
***8-9 may help increase stability when using HTT speeds of 300+

Read Preamble time
Typical Setting: 4.0-7.0 (5.5 netted the best results on my BH-5)
Effects: Minimal Influence on Bandwidth/Stability.
***5.5-7 may help increase stability when using HTT speeds of 300+

Idle Cycle Limit 000-256 in doubled increments.
Minimal Influence on Bandwidth/Stability.

Dynamic Counter
Typical Setting: Auto, Enable, Disable. Enable for Slight Performance increase, Disable for slight Stability increase
Minimal Influence on Bandwidth/Stability.


Refresh Period (tREF)
Typical Setting: AUTO/0032-4708 in variable increments.
Typical translations: Some motherboards have more options than listed here, but I have not found what they us values are for the addition settings so they are not included.

---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)

I’ve found 3.9us to be the best setting for my BH-5, 15.6 results in slightly lower bandwidth, but the same stability it seems.
Effects: Minimal effect of Bandwidth, Minimal to Extreme effect of stability
**Make SURE your tREF setting is set to a value related to your memory Divider! Extreme system instability will result if this is not matched up!

When using the DFI Specific dividers I’ve left this on “AUTO” , Once I finish deciphering the settings, I will add to the list.


R/W Queue Bypass
Typical Setting: 8x, 16x.
Minimal Influence on Bandwidth/Stability (Lower slightly increases stability).


Bypass Max
Typical Setting: 4x-7x
5x-7x for max performance,0x-4x has shown to increase overclock slightly
Minimal Influence on Bandwidth/Stability.

32 byte Granulation
Typical Setting: Disable (8burst), enable (4burst).
Effect: Try Disable (8burst) for more bandwidth. Try enabling 4 burst for more stability
Minimal Influence on Bandwidth.
AMD OPTERON 165 @ 2.8GHz (310x9) @ 1.35vCore # ASUS A8N32-SLI DLX # A-Data 2Gb DDR500 # gForce 7900GS EXT @ 600/1600 # WD Raptor 74Gb # SGT 2x250Gb # Guía rápida de OC
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MensajePublicado: Lun, 19 Feb 2007 12:24 pm    Asunto: Responder citando

Rutger, tengo unas UTT BH5 que estan haciendo 248 2-2-2-5, si quieres que haga capturas con diferentes juegos de latencias igual a la gente le sirve de ejemplo, para ver el impacto en los anchos de banda y esas cosillas.
Antec Superlamboy|silenx ixtrema 12cm 14 dba sacando aire|antec 120mm fan metiendo en el lateral|Dfi Nf4 Ultra-D bios 623-3|Toledo X2 3800+@2460 stock volts|G.SKILL F1-3200BWU2-1GBGH@246@3.3V cl2-2-2-5|Antec TruePower 550EPS12V|zalman ZM-7000B-alcu|2Xseag
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lechosopowers
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MensajePublicado: Mie, 24 Jun 2009 1:23 pm    Asunto: Responder citando

+100 rutger Envidioso o Pervertido Muy buen artículo, te lo has currado y a mí me solventaste todas las dudas de una pasada. Después de leer muchos post acerca de memoria en múltiples foros me quedo con el tuyo.
Sigue así machote Riendo
Salu2 lechosillos harcore-modders
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MensajePublicado: Mie, 14 Oct 2009 1:49 pm    Asunto: Responder citando

saludos ! SOY NUEVO POR AQUI, y como tal espero su ayuda y comprencion en donde me pueda equivocar. mi inquietud es sobre la latencia en mi board pues entre a la opcion PCI LATENCY TIMER. esta estaba con 64 pero la cambie a 128 , y porque lo hice? bueno es de ahi donde realmente me motive a buscar la ayuda de ustedes, espero me ayuden por que tengo unos problemaitas que me an llevado a probar con esta latenia y no se si es peligrosa para mi pc si la cambio o no lei algo de el manual pero solo dice que cambiarlo mejora la rapides y es que de repente sin explicacion mi tarjeta grafica una (geforce 8800gts -g92-512mb) esta con un reseteo del board y un windows dañado empeso a ponerse lenta en los juegos es por eso que considere subirle la latencia aver si cambiaba en algo . disculpenme si en algo falle , espero me guien por el camino correcto si escribi en el sitio equivocado, luego le puedo hablar de mi problemita con el reseteo del mother board.
mother board= msi k9a2 platinum amd 790fx.
AMD phenom Quad core 9550.
DDR2 muskin 2x 1gb 800mhz.
geforce 8800gts chip g92 512mb bfg.
.
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MensajePublicado: Mie, 14 Oct 2009 2:39 pm    Asunto: Responder citando

Subir la latencia a mi enterder es subir el tiempo que tarda en transmitir datos y suponiendo eso cuanta menos latencia mejor

No entiendo el problema poruqe lo normal e sque funcione mal si bajas mucho la latencia pero si tu la subes lo unico que hace es ir lento.

CMOS clear y como nuevo ( sacar la pila y volverla a meter y sino pon los valores de fabrica o los que te diga el fabricante)


pD: No te metes a modificar cosas sin conocimiento porque te puedes cargar el ordenador
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